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NPN PNP のトランジスター IXSN35N120U1 -東芝-ダイオードとの高圧 IGBT

NPN PNP のトランジスター IXSN35N120U1 -東芝-ダイオードとの高圧 IGBT

NPN PNP Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA - High Voltage IGBT with Diode

商品の詳細:

起源の場所: フィリピン
ブランド名: TOSHIBA
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IXSN35N120U1

お支払配送条件:

最小注文数量: 50
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: サンプルのための接触
受渡し時間: 3 days 内
支払条件: 前もって T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
供給の能力: 5000
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詳細製品概要

 

速い細部:

 

ダイオードとの高圧 IGBT

 

 

記述:

 

VCES = 1200 ボルト

IC25 = 70 A

VCE (坐る) = 4 ボルト

 

 

適用:

 

互換性がある●の国際規格のパッケージの小型ブロック(ISOTOP)

●のアルミニウム窒化物の分離

-高い発電の消滅

●の分離の電圧 3000 V~

●低い VCE (坐る)

-最低のオン州の伝導の損失のために…

●の速い RecoveryEpitaxial のダイオード

-短い trr および IRM

●の低いコレクターに場合キャパシタンス(< 50="" pF="">

- reducesd RFI

●の低いパッケージ インダクタンス(< 10="" nH="">

-容易運転し、保護すること

 

 

指定:

 

部品番号。

IXSN35N120U1

製造業者

東芝

供給の能力

10000

datecode

10+

パッケージ

モジュール

注目

新しく、元の在庫

 

 

比較優位:

 

保証: 180 日!
自由な船積み: $1000 勝利上の順序自由な郵送物料金
(3Kg の下の商品の重量)、20130901-20130930 の間に。


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