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AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4 メガビットの 2.5 ボルトか 2.7 ボルト DataFlash

AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4 メガビットの 2.5 ボルトか 2.7 ボルト DataFlash

    • AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4-megabit 2.5-volt or 2.7-volt DataFlash
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  • AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4-megabit 2.5-volt or 2.7-volt DataFlash

    商品の詳細:

    起源の場所: フィリピン
    ブランド名: ATMEL Corporation
    証明: Lead free / RoHS Compliant
    モデル番号: AT45DB041D-SU

    お支払配送条件:

    最小注文数量: 50
    価格: Contact for Sample
    パッケージの詳細: サンプルのための接触
    受渡し時間: 3 days 内
    支払条件: 前もって T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
    供給の能力: 5000
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    詳細製品概要
    ページの消去: (256 バイト) フォーマット: 記憶フラッシュ
    インターフェイス: SPI の急流 電圧-供給: 2.7 V | 3.6 ボルト


    速い細部:

    4 メガビットの 2.5 ボルトか 2.7 ボルト DataFlash


    記述:

    AT45DB041D は 2.5V または 2.7V、理想的にいろいろデジタル音声に、イメージ適する、連続インターフェイス フラッシュ・メモリ プログラム コードおよびデータストレージの適用です。
    AT45DB041D は非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支えます。 急流のシリアル・インタフェースは頻度のために互換性がある SPI 66 までの MHz です。 記憶のその 4,325,376 ビットは 256 バイトまたは 264 バイトそれぞれの 2,048 ページとして組織されます。 主記憶操置に加えて、AT45DB041D はまた 2 つを含んでいます
    バイト 256/264 のの SRAM の緩衝それぞれ。 緩衝は主記憶操置のページがプログラムし直されている間、また書いて計量値は流れますデータの受け入れを可能にします。 EEPROM の模範化ははめ込み式スリー ステップと(ビットまたはバイトの alterability)容易に読書変更書きます操作を扱われます。 複数アドレス ラインおよびパラレル インターフェイスと任意にアクセスされる慣習的なフラッシュ・メモリとは違って、DataFlash は次々にデータにアクセスするのに急流のシリアル・インタフェースを使用します。 簡単な順次アクセスは劇的に活動的なピン・カウントを減らし、ハードウェア レイアウトを促進し、装置の信頼度を高め、切換えの騒音を最小にし、そしてパッケージのサイズを減らします。 装置は高密度、低ピン計算が、低電圧およびローパワー必要である多くの商業および産業適用の使用のために最大限に活用されます。
    簡単な内部システム reprogrammability を可能にするためには、AT45DB041D はプログラミングのために高い入力電圧が要求しません。 装置は単一の電源、2.5V から 3.6V にまたは 2.7V プログラムおよび読込み操作両方のための 3.6V に、作動します。 AT45DB041D は破片選り抜きピン(CS)を通して可能になり、連続入力 (SI)、連続出力 (SO)、および連続時計 (SCK) から成っている 3 ワイヤー インターフェイスによってアクセスされます。


    適用:

    • 3.6V 供給への単一 2.5V か 2.7V
    • RapidS®
    シリアル・インタフェース: 最高のクロック周波数 66 の MHz の
    – SPI の多用性があるモード 0 および 3
    • ユーザーの構成可能のページ サイズ
    –ページごとの 256 バイト
    –ページごとの 264 バイト
    • ページ プログラム操作
    –理性的なプログラミング操作
    –主記憶操置 2,048 ページ(256/264 バイト/ページ)
    • 適用範囲が広い消去の選択
    –ページの消去(256 バイト)
    –ブロックの消去(2 K バイト)
    –セクターの消去(64 K バイト)
    –破片の消去(4 Mbits)
    • 2 つの SRAM のデータ バッファ(バイト 256/264 の)
    –抜け目がない配列をプログラムし直している間データの受け入れを許可します
    • 全体の配列による連続的な読まれた機能
    –適用を尾行するコードのための理想
    • ローパワー消滅
    – 7 mA の能動態は典型的な流れを読みました
    –典型的な 25 の µA のスタンバイの流れ
    – 5 µA の深くパワー典型的
    • ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴
    –個々のセクター
    • 安全なコードおよびデータ記憶のためのセクターのロック式
    –個々のセクター
    • 保証: 128 バイトの保証記録
    – 64 バイトのユーザーのプログラム可能なスペース
    –独特な 64 バイトの装置識別子
    • JEDEC 読まれる標準的な製造業者および装置 ID
    • ページの最低ごとの 100,000 のプログラム/消去周期
    • データ保持– 20 年
    • 産業温度較差
    • 緑(迎合的な Pb/Halide-free/RoHS)の包装の選択


    指定:

    データ用紙

    AT45DB041D

    プロダクト写真

    8-SOIC (5.30mm の幅)

    特色にされたプロダクト

    AT45DBxxx DataFlash

    標準パッケージ

    95

    部門

    集積回路 (ICs)

    家族

    記憶

    シリーズ

    -

    包装

    フォーマット-記憶

    フラッシュ

    記憶タイプ

    DataFLASH

    記憶容量

    4M (2048 ページ X 264 バイト)

    速度

    66MHz

    インターフェイス

    SPI の急流

    電圧-供給

    2.7 V | 3.6 ボルト

    実用温度

    -40°C | 85°C

    パッケージ/場合

    8-SOIC (0.209"、5.30mm の幅)

    製造者装置パッケージ

    8-SOIC

    他の名前

    1265-1019-5
    AT45DB041D-SUAD
    AT45DB041D-SUAD-ND

     


    比較優位:

    保証: 180 日!
    自由な船積み: $1000 勝利上の順序自由な郵送物料金
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