MIC5016BWM Micrelの半導体-低価格の二重高または低側のMOSFETの運転者

MIC5016BWM Micrelの半導体-低価格の二重高または低側のMOSFETの運転者

速い細部:

低価格の二重高または低側のMOSFETの運転者

記述:

MIC5016およびMIC5017二重MOSFETの運転者はNチャネル、強化モード、高側か低側のスイッチとして使用される力のMOSFETsのゲート制御のために設計されています。MIC5016/7は不明確に出力されるオン州を支えることができます。

MIC5016/7は2.75Vから30V供給に作動します。highside構成では、運転者は30Vまでの負荷を転換するMOSFETsを制御できます。低側の構成では、別の供給と、最高によって転換される電圧はMOSFETによってだけ限られます。

MIC5016/7に2つのTTLの多用性がある操作量があります。MIC5016はMIC5017が逆になっている間noninverting。

MIC5016/7はゲートの電圧を支えることができる利用できる供給電圧より大きい内部チャージ ポンプを特色にします。運転者は2.75V供給からの論理レベルのMOSFETsか5V供給からの標準的なMOSFETsを始動させることができます。ゲートに源の出力電圧はおよそ15Vに内部的に限られます。

MIC5016/7は– 20Vの自動車負荷ダンプ、逆転させた電池および誘導負荷スパイクから保護されます。運転者の過電圧の操業停止の特徴はおよそ35Vで電源の脱線から負荷を保護するために外的なMOSFETsを消します。

MIC5016は多くのMIC5012適用の改良されたピンのためピン多用性がある取り替えです。MIC5016/7はプラスチック14ピンすくいおよび16ピンSOIC pacakgesで利用できます。

適用:

•30V操作への2.75V

•100µA最高の供給の流れ（5V供給）

•15µA典型的なオフ状態の流れ

•内部チャージ ポンプ

•TTLの多用性がある入力

•60Vトランジェント抗します（負荷ダンプ）に

•– 20Vに保護される逆電池

•– 20Vに保護される誘導のスパイク

•35Vの過電圧の操業停止

•内部15Vゲートの保護

•最低の外面の部品

•高側か低側の構成で作動します

•1µA操作量の引き

•逆になり、noninverting版

指定:

比較優位:

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