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力は運転者 IC IRF6618TR1 -国際的な整流器-を力 MOSFET 導きました

力は運転者 IC IRF6618TR1 -国際的な整流器-を力 MOSFET 導きました

Power Led Driver IC IRF6618TR1 - International Rectifier - Power MOSFET

商品の詳細:

起源の場所: フィリピン
ブランド名: International Rectifier
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IRF6618TR1

お支払配送条件:

最小注文数量: 5枚
価格: Contace sales group 1
パッケージの詳細: 標準パッケージ
受渡し時間: 2-3 日間
支払条件: T/T Paypal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書等。
供給の能力: 5000
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詳細製品概要

速い細部:

 

低雑音アナログ装置-精密器械使用のアンプ

 

 

記述:

 

IRF6609 は SO-8 および 0.7 ただ mm のプロフィールの足跡があるパッケージに最も低いオン州の抵抗を達成するために包む高度の DirectFETTM と最も最近の HEXFET® 力 MOSFET のケイ素の技術を結合します。 DirectFET のパッケージはアプリケーション ノート AN-1035 が製造方法およびプロセスに関して続かれるとき力の適用、PCB アセンブリ装置および蒸気段階の、赤外線または対流のはんだ付けする技術で使用される既存のレイアウトの幾何学と互換性があります。 DirectFET のパッケージは 80% によって前の最もよい熱抵抗を改善するパワー系統の熱移動を最大にする二重味方された冷却を可能にします。

IRF6609 伝導および切換えの両方損失を減らすために低い抵抗の両方および低料金は超低いパッケージ インダクタンスと共にバランスをとります。 減らされた総損失はより高い頻度で作動するプロセッサの最も最近の生成に動力を与える高性能 DC-DC のコンバーターのためのこのプロダクト理想を作ります。 IRF6609 は Rds ()、ゲート充満を含む 12 ボルトの buss のコンバーターから作動する同期木びき台で重大であり、Cdv/dt 誘発免除をつけなさい変数のために最大限に活用されました。 IRF6609 offersparticularly 低い Rds ()および同期 FET の塗布のための高い Cdv/dt の免除。

 

 

適用:

 

_の低い伝導の損失

_の低い切換えの損失

_の理想的な同期整流器 MOSFET

控えめな_(<0>

互換性がある_の二重味方された冷却

既存の表面の台紙の技術と互換性がある_

 

 

指定:

 

データ用紙

IRF6618/TR1

プロダクト写真

IRF6614TR1PBF

他の関連文書

DirectFET MOSFET 4Ps のチェックリスト

設計資源

IRF6618 サーベル モデル
IRF6618 スパイス モデル

PCN の退行

(EP) 2012年5月25日を分けます

標準パッケージ

1,000

部門

分離した半導体製品

家族

FETs -選抜して下さい

シリーズ

HEXFET®

包装

テープ及び巻き枠 (TR)

FET のタイプ

MOSFET N チャネル、金属酸化物

FET の特徴

論理の水平なゲート

流出させて下さいに源の電圧(Vdss)

30V

現在-連続的な下水管(ID) @ 25° C

30A

(最高) @ ID、Vgs の Rds

2.2 mOhm @ 30A、10V

Vgs ((最高) Th) @ ID

2.35V @ 250µA

充満(Qg) @ Vgs をゲートで制御して下さい

65nC @ 4.5V

入力キャパシタンス (Ciss) @ Vds

5640pF @ 15V

パワー最高

2.8W

土台のタイプ

表面の台紙

パッケージ/場合

DirectFET™等大 MT

製造者装置パッケージ

DIRECTFET™ MT

 

 

比較優位:

 

保証: すべての商品のための 180days

自由な船積み: $600 勝利上の順序自由な郵送物料金: 商品は 3Kg の下で重くします。

メガ源の電子工学は出荷すること準備ができた部品に貯蔵します。 希少な、時代遅れの非常に割振られた集積回路および半導体は私達によってすべて見つけることができますです。

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