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SST29SF040-55-4C-WH -ケイ素のストレージ技術、株式会社- 2 Mbit/4 Mbit (x8)の小型セクターのフラッシュ

SST29SF040-55-4C-WH -ケイ素のストレージ技術、株式会社- 2 Mbit/4 Mbit (x8)の小型セクターのフラッシュ

SST29SF040-55-4C-WH - Silicon Storage Technology, Inc - 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash

商品の詳細:

起源の場所: フィリピン
ブランド名: Silicon Storage Technology, Inc
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SST29SF040-55-4C-WH

お支払配送条件:

最小注文数量: 50
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: サンプルのための接触
受渡し時間: 3 days 内
支払条件: 前もって T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
供給の能力: 5000
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詳細製品概要
パッケージ: FBGA

速い細部:

 

2 Mbit/4 Mbit (x8)の小型セクターのフラッシュ

 

 

記述:

 

SST29SF020/040 および SST29VF020/040 は専有 SST 高性能 CMOS SuperFlash の技術と製造された 256K x8/512K x8 CMOS の小型セクターのフラッシュ (SSF) です。 割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器は互い違いのアプローチと比較されるよりよい信頼性および manufacturability を達成します。

SST29SF020/040 装置は(プログラムか消去)書きます 4.5-5.5V 電源と。 SST29VF020/040 装置は(プログラムか消去)書きます 2.7-3.6V 電源と。 これらの装置は JEDEC の x8 記憶のための標準的なピン アサインに合致します。

高性能バイト プログラム、SST29SF020/040 および SST29VF020/040 装置を特色にして 20 µsec の最高バイト プログラムひとときを提供して下さい。 不注意から保護するためには書いて下さい、それらにオン破片ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の機構があります。 適用の広い範囲のために設計され、製造され、そしてテストされて、これらの装置は少なくとも 10,000 の周期の保証された持久力と提供されます。 データ保持は 100 年以上に評価されます。

SST29SF020/040 および SST29VF020/040 装置はプログラム、構成、またはデータ記憶の便利で、経済的な更新を要求する適用に適します。 すべてのシステム応用のために、それらはかなりパワー消費量を下げている間性能および信頼性を、改善します。 それらは消去の間に本来代わりとなる抜け目がない技術よりより少ないエネルギーを使用し、プログラムします。 消費される総合エネルギーは適用の応用電圧、流れおよび時の機能です。 ある特定の電圧範囲のために、SuperFlash の技術がプログラムするのにより少なく現在使用し、より短い消去のひとときを過ごすので、あらゆる消去またはプログラム操作の間に消費される総合エネルギーは代わりとなる抜け目がない技術よりより少しです。 それらはまたプログラム、データおよび構成貯蔵の適用のための費用を下げている間柔軟性を改善します。

SuperFlash の技術は行われた消去/業務計画周期の数の固定消去およびプログラム時間の独立者提供します。 従って消去およびプログラム時間が集められた消去/業務計画周期と増加する代わりとなる抜け目がない技術で必要なように、システム・ソフトウェアかハードウェアは変更されるか、または軽減される必要がありません。

高密度に、表面の台紙の条件会うためには、SST29SF020/040 および SST29VF020/040 装置は 32 鉛 PLCC および 32 鉛 TSOP のパッケージで提供されます。

 

 

適用:

 

• 256K x8/512K x8 として組織される

• 単一の電圧は操作を読み、書きます

– SST29SF020/040 のための 4.5-5.5V

– SST29VF020/040 のための 2.7-3.6V

• 優秀な信頼性

–持久力: 100,000 の周期(典型的)

–保持 100 年以上データ

• 低い電力の消費:

–活動的な流れ: 10 mA (典型的)

–スタンバイの流れ:

SST29SF020/040 のための 30 µA (典型的な)

SST29VF020/040 のための 1 つの µA (典型的な)

• セクター消去の機能

–ユニフォーム 128 のバイトのセクター

• 読み取りアクセスの時間は絶食します:

– SST29SF020/040 のための 55 ns

– SST29VF020/040 のための 70 ns

• 掛け金を降ろされた住所およびデータ

• 消去およびバイト プログラムは絶食します:

–セクター消去の時間: 18 氏(典型的な)

–破片消去の時間: 70 氏(典型的な)

–バイト プログラム時間: 14 の µs (典型的な)

–破片の書直しの時間:

SST29SF/VF020 のための 4 秒(典型的)

SST29SF/VF040 のための 8 秒(典型的)

• 自動タイミングを書いて下さい

–内部 VPP の生成

• 検出を終りの書いて下さい

–ビットを留めて下さい

– Data# の投票

• SST29SF020/040 のための TTL 入力/出力の両立性

• SST29VF020/040 のための CMOS 入力/出力の両立性

• JEDEC の標準

–抜け目がない EEPROM Pinouts および命令セット

• 利用できるパッケージ

– 32 鉛 PLCC

– 32 鉛 TSOP (8mm x 14mm)

• すべての非 Pb (無鉛)装置は迎合的な RoHS です

 

指定:

部品番号。

SST29SF040-55-4C-WH

製造業者

ケイ素のストレージ技術、株式会社

供給の能力

10000

datecode

10+

パッケージ

32pin-PLCC/TSOP

注目

新しく、元の在庫

 

 

比較優位:

 

保証: すべての商品のための 180days

自由な船積み: $600 勝利上の順序自由な郵送物料金: 商品は 3Kg の下で重くします。

メガ源の電子工学は出荷すること準備ができた部品に貯蔵します。 希少な、時代遅れの非常に割振られた集積回路および半導体は私達によってすべて見つけることができますです。

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