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集積回路の破片 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X 90FBGA の 4 つの銀行移動式 SDRAM

中国 Mega Source Elec.Limited 認証
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集積回路の破片 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X 90FBGA の 4 つの銀行移動式 SDRAM サプライヤー 集積回路の破片 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X 90FBGA の 4 つの銀行移動式 SDRAM サプライヤー

大画像 :  集積回路の破片 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X 90FBGA の 4 つの銀行移動式 SDRAM

商品の詳細:

起源の場所: 韓国
ブランド名: SAMSUNG
証明: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
モデル番号: K4M513233C-DN75

お支払配送条件:

最小注文数量: 1
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: サンプルのための接触
受渡し時間: 在庫あり
支払条件: 前もって T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
供給の能力: 9600
連絡先
詳細製品概要
パッケージ: 90FBGA ブランド: サムスン
電源。: • 3.0V 及び 3.3V 商業温度操作: (- 25°C | 70°C)。
ハイライト:

ICの集積回路

,

集積回路の破片

速い細部:

4M x 32Bit X 90FBGAの4つの銀行移動式SDRAM

記述:

K4M513233Cは536,870,912ビット サムスンの高性能CMOSの技術と製造される32ビットにつき4のx 4,196,304ワードとして組織される同期高いデータ転送速度の動的RAMです。同期設計はシステム クロックの使用を用いる精密な周期制御を可能にし、入力/出力トランザクションはあらゆる時計サイクルで可能です。動作周波数の範囲、プログラム可能な破烈の長さおよびプログラム可能な潜伏は同じ装置がいろいろ高い帯域幅および高性能の記憶装置の塗布のために有用であるようにします

 

適用:

• 3.0V及び3.3V電源。

• 多重型にされた住所と互換性があるLVCMOS。

• 4つの銀行操作。

• アドレス・キー プログラムの夫人周期。

    -。CASの潜伏(1、2及び3)。

    -。破烈の長さ(1、2、4、8及び全ページ)。

    -。破烈のタイプ(順次及びインターリーブ)。

• アドレス・キー プログラムのEMRS周期。

• すべての入力はシステムの肯定的な行く端で見本抽出されます

   時計。

• 破烈はシングル・ビットを書きます操作を読みました。

• 特殊関数サポート。

    -。PASR (部分的な配列の自己は新たになります)。

    -。内部TCSR (温度によって償われる自己は新たになります)   

•  覆うことのためのDQM。

• 自動車は新たになります。

• 64msによっては期間が(8K周期)新たになります。

• 商業温度操作(- 25°C | 70°C)。

• 延長温度操作(- 25°C | 85°C)。

• 90Balls FBGA

指定:

部品番号。

K4M513233C-DN75

製造業者

サムスン

供給の能力

1920年

datecode

07+

パッケージ

BGA

注目

新しく、元の在庫

 

部品番号 QTY MFG パッケージ
MC74HC595ADTR2G 10000 TSSIP
MC74HC165ADTR2G 7800 TSSOP
LM4871MM 4000 NS MSOP
ADXL335BCPZ 22000 広告 LFCSP-16
PIC16F648A I/P 30000 マイクロチップ すくい
88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
DF08M 45000 9月 すくい
FR9618SPCTR 10000 FR SOP-8

比較優位:

 

 メガ源の電子工学は出荷すること準備ができた部品に貯蔵します。希少な、時代遅れの非常に割振られた集積回路および半導体は私達によってすべて見つけることができますです。

メガ源の電子工学は速く、便利で有効な私達のサービスを非常に保証できる全体的な兵站学ネットワーク確立しました、およびよく発達した兵站学システムを。

 

 

連絡先の詳細
Mega Source Elec.Limited

コンタクトパーソン: savvy

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